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文摘
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在金刚石压砧装置上，采用电阻和电容测量方法，研究了粒径为15～18nm和80nm的纳米晶Si在室温下、24GPa内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明，它们分别在19～17GPa和14GPa左右发生了金属化相变。 |
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来源
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高压物理学报
,1999,13(2):133 【核心库】
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关键词
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纳米晶Si
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电阻
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电容
;
金属化相变
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地址
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1.
中科院物理所, 北京, 100080
2.
北京航空航天大学, 中科院半导体材料科学开放实验室, 北京, 100083
3.
华南师范大学, 广东, 510631
4.
中科院半导体所, 北京, 100083
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语种
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中文 |
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ISSN
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1000-5773 |
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学科
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物理学 |
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基金
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中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室开放基金资助
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文献收藏号
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CSCD:619662
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1.
王卫乡.
激光与红外,1995,25(1):27
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被引
8
次
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2.
鲍忠兴.
科学通报,1984,29(14):846
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被引
16
次
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3.
鲍忠兴.
J Appl Phys,1991,70(11):6804
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被引
4
次
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4.
Hu J Z.
Solid State Commun,1984,51(5):263
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被引
3
次
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5.
Zhao Y X.
,1986,50(10):679
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被引
1
次
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6.
鲍忠兴. CuO在高压下的状态方程、电学性质与相变.
高压物理学报,1998,12(4):254
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被引
1
次
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