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用硅离子注入方法制备的纳米硅的拉曼散射研究

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来源 光散射学报 ,1999,11(3):231 【核心库】
关键词 纳米硅 ; 离子注入 ; 热退火 ; 拉曼散射
地址

中科院半导体所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京, 100083

语种 中文
ISSN 1004-5929
学科 化学
基金 国家自然科学基金
文献收藏号 CSCD:610629

参考文献 共 2 共1页

1.  Zhang J Y. J Appl Phys,1998,83:3609 被引 2    
2.  Richter H. Solid State Commun,1981,39:625 被引 62    
引证文献 2

1 赵凤瑷 半导体量子点及其应用(Ⅰ) 物理,2004,33(4):249-256
被引 5

2 谢可 激光灼蚀形成纳米硅的光致发光谱研究 固体电子学研究与进展,2005,25(4):437-441
被引 1

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