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反应离子刻蚀工艺仿真模型的研究

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文摘 以SF_6/N_2混合气体对Si反应离子刻蚀工艺研究为例提出干法刻蚀计算机工艺模拟的方法:在分段拟合优化工艺条件下采用人工神经网络方法建立干法刻蚀仿真模型,可以予测给定射频功率、总气流量下刻蚀速率和纵横比,并且以仿真实验数据训练模型学习,模型具有通用性,与设备无关。
来源 功能材料与器件学报 ,2000,6(4):420 【扩展库】
关键词 干法刻蚀 ; 工艺仿真 ; 人工神经网络
地址

中国科学院半导体所, 集成光电子学国家实验室, 北京, 100083

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 1007-4252
学科 电子技术、通信技术
基金 国家863计划
文献收藏号 CSCD:608072

参考文献 共 2 共1页

1.  熊光楞. 计算机集成制造系统,1997,3(2):7 被引 7    
2.  王惠刚. 计算机仿真原理及应用,1994 被引 32    
引证文献 1

1 邵勇 CF_4/Ar/O_2等离子体对熔石英元件的修饰工艺 强激光与粒子束,2014,26(3):032002-1-032002-4
被引 0 次

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