NH_3-MBE生长极化场二维电子气材料

孙殿照刘宏新王军喜王晓亮刘成海曾一平李晋闽林兰英

文摘	介绍了用NH_3-MBE技术在蓝宝石C面上外延的高质量的GaN单层膜以及GaN/AlN/GaN极化感应二维电子气材料。外延膜都是N面材料。形成的二维电子气是“倒置二维电子气”。GaN单层膜的室温电子迁移率为300cm~2/Vs。二维电子气材料的迁移率为680cm~2/Vs(RT)和1700cm~2/Vs(77K)，相应的二维电子气的面密度为3.2×10~(13)cm~(-2)(RT)和2.6×10~(13)cm~(-2)(77K)。
来源	功能材料与器件学报 ,2000,6(4):350 【扩展库】
关键词	氮化镓 ; GaN ; 分子束外延 ; 二维电子气 ; 极化
地址	中科院半导体所材料科学中心, 北京, 100083
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	1007-4252
学科	电子技术、通信技术
文献收藏号	CSCD:608055

参考文献共 3 共1页

引证文献 3 篇

1 孙殿照 RF-MBE生长AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料半导体学报,2001,22(11):1425
被引 3 次

2 胡国新 RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料材料科学与工艺,2001,9(3):316
被引 1 次

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李晋闽 0000-0002-0900-2497

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