在p-Si(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性

姚振钰 ¹ 贺洪波 ² 柴春林 ¹ 刘志凯 ² 杨少延 ¹ 张建辉 ¹ 廖梅勇 ¹ 范正修 ² 秦复光 ¹ 王占国 ¹ 林兰英 ¹

文摘	室温下在p-Si(100)上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜。XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的，XRC测量则表明了ZnO的高质量。在室温下的PL测量中见到了带边发射，其强度与晶体质量有关。
来源	功能材料与器件学报 ,2000,6(4):338 【扩展库】
关键词	磁控溅射 ; ZnO薄膜 ; Si衬底
地址	1. 中科院半导体所, 中科院半导体材料科学开放实验室, 北京, 100083 2. 中科院上海光学精密机械所薄膜技术中心, 上海, 201800
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	1007-4252
学科	电子技术、通信技术
基金	国家863计划
文献收藏号	CSCD:608052

参考文献共 3 共1页

引证文献 1 篇

1 段凌瑶 ZnO的水热合成及气敏性能研究化工新型材料,2017,45(9):184-185
被引 1 次

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