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带有腔面非注入区的大功率808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵

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来源 高技术通讯 ,2000,10(12):9 【核心库】
关键词 激光二极管列阵 ; 非注入区 ; COD ; GaAs/AlGaAs
地址

中科院半导体所国家光电技术研究中心, 北京, 100083

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 1002-0470
学科 电子技术、通信技术
基金 国家自然科学基金国家杰出青年科学基金
文献收藏号 CSCD:604906

参考文献 共 1 共1页

1.  Tu L W. J Appl Phys,1996,80(11):6448 被引 3    
引证文献 3

1 刘斌 980nm半导体激光器长期老化结果及失效分析 激光与光电子学进展,2012,49(9):091404-1-091404-5
被引 6

2 刘斌 腔面非注入区技术在808 nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵中的应用 激光与光电子学进展,2013,50(11):111404-1-111404-3
被引 0 次

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