用Z扫描法测量a-Si/SiO_2多量子阱材料非线性折射率

周赢武 ¹ 郭亨群 ¹ 成步文 ²

来源	光电子·激光 ,1999,10(5):431 【核心库】
关键词	Z扫描 ; a-Si/SiO_2多量子阱 ; 光学非线性
地址	1. 华侨大学, 福建, 泉州, 362011 2. 中科院半导体所, 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京, 100083
语种	中文
ISSN	1005-0086
学科	物理学
基金	国家自然科学基金
文献收藏号	CSCD:599606

参考文献共 7 共1页

	1. 林峰. 物理,1998,8:467	被引 1 次
	2. Lu Z H. Nature,1995,378:258	被引 43 次
	3. Yang L. Opt Lett,1991,16(10):578	被引 2 次
	4. . Opt Lett,1991,16(10):578	被引 1 次
	5. 成步文. a-Si/SiO↓2多量子阱材料制备及其晶化和发光. 发光学报,1997,18:217	被引 6 次
	6. 李淳飞. 光学双稳态研究20年. 物理,1996,25:267	被引 6 次
	7. Xia J B. Phys Rev B,1997,56:14925	被引 8 次

引证文献 2 篇

1 郭亨群纳米Si镶嵌SiO2薄膜的发光与非线性光学特性的应用半导体学报,2006,27(2):345-349
被引 10 次

2 沈海波 Z扫描法研究nc-Si/SiN_x多量子阱材料非线性光学特性半导体光电,2009,30(6):878-882
被引 1 次

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