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单晶硅中铒点缺陷及Er-O复合缺陷电子结构的EHMO计算
查看参考文献8篇
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文摘
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本文采用集团模型和推广的Hucket分子轨道理论(EHMO)计算c-Si中Er点缺陷及Er-O复合缺陷的原子构型及电子结构。计算结果符合实验及一些文献的第一性原理计算结果,解释了Er有c-Si中的发光特性。 |
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来源
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光电子·激光
,1999,10(5):419 【核心库】
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关键词
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Si基发光
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铒
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氧
;
集团模型
;
EHMO理论
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地址
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1.
南开大学光电子薄膜器件与技术所, 天津, 300071
2.
中科院半导体所, 北京
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语种
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中文 |
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ISSN
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1005-0086 |
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学科
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电子技术、通信技术 |
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文献收藏号
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CSCD:599603
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参考文献 共
8
共1页
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1.
王启明. 提高Si基材料高效率发光途径的探索.
物理学进展,1996,16(1):75
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被引
13
次
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2.
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被引
91
次
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3.
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被引
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被引
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物理学报,1980,29(12):1613
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被引
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被引
6
次
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