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文摘
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利用MBE方法在(001)衬底上成功地生长了密度大、尺寸小、发红光的InAlAs/Al-GaAs量子点结构。通过原子力显微镜观测表明，InAlAs量子点的密度和大小都随覆盖厚度的增加而增大；发现Al原子的表面迁移率决定InAlAs量子点的形貌。光荧光谱证实了量子点的发光峰值在红光范围，并结合形貌的统计得到了量子点的发光峰展宽主要是受量子点的横向尺寸影响。 |
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来源
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发光学报
,1999,20(3):230 【核心库】
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关键词
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红光量子点
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表面扩散
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光荧光
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地址
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中科院半导体所, 中科院半导体材料科学开放实验室, 北京, 100083
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语种
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中文 |
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文献类型
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研究性论文 |
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ISSN
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1000-7032 |
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学科
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物理学 |
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基金
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国家自然科学基金
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文献收藏号
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CSCD:582244
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