文摘
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用直流磁控反应溅射合金靶制备了ZnO薄膜,研究了衬底温度和退火温度对薄膜的结构及电学和光学性能的影响。衬底温度升高能改善薄膜的电学特性,其原因是薄膜晶粒尺寸的增大。温度升高导致薄膜基本光学吸收边向短波移动,但对高透射区(450~850nm)的透射率影响不大。 |
来源
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材料研究学报
,2000,14(5):538 【核心库】
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关键词
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ZnO 薄膜
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温度
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光学吸收边
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透射率
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地址
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1.
中科院金属所, 辽宁, 沈阳, 110015
2.
中科院金属所, 辽宁, 沈阳
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语种
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中文 |
ISSN
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1005-3093 |
学科
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一般工业技术 |
基金
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辽宁省沈阳市科技局项目
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文献收藏号
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CSCD:550927
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