氮化H_2-O_2合成薄栅氧抗辐照特性

刘新宇 ¹ 刘运龙 ¹ 孙海锋 ¹ 海潮和 ¹ 吴德馨 ¹ 和致经 ² 刘忠立 ²

参考文献共 5 共1页

	1. Lai P T. IEEE Trans Electron Devices,1999,46(12):2311-2314	被引 7 次
	2. 高文钰. 博,2000	被引 1 次
	3. 刘新宇. 博,2001	被引 1 次
	4. 刘忠立. 薄二氧化硅MOS电容电离辐射陷阱电荷研究. 半导体学报,2001,22(7):904	被引 1 次
	5. Ma T P. Ionizing Radiation Effects in MOS Devices and Circuits,1989	被引 33 次

引证文献 4 篇

1 刘运龙氮化H_2-O_2合成薄栅介质的击穿特性半导体学报,2002,23(11):1207-1210
被引 0 次

2 范隆 Si_3N_4/SiO_2复合栅介质电离辐照的电子能谱分析西安电子科技大学学报,2003,30(3):302-305
被引 0 次

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