离子束外延生长半导体性锰硅化合物

杨君玲 ¹ 陈诺夫 ² 刘志凯 ¹ 杨少延 ¹ 柴春林 ¹ 廖梅勇 ¹ 何宏家 ¹

文摘	利用质量分析的低能双离子束外延技术得到了半导体性的锰硅化物，Mn_(27)Si_(47)和Mn_(15)Si_(26)。俄歇电子谱谐深度组分测量结果表明，在单晶Si的表面淀积了一薄层厚度约为37.5nm的Mn，另一部分Mn离子成功注入进Si基底里，注入深度为618nm。在840℃条件下在流动N_2气氛中对生长样品进行退火，X射线衍射结果表明退火后Mn_(27)Si_(47)和Mn_(15)Si_(26)结晶更好。
来源	半导体学报 ,2001,22(11):1429 【核心库】
关键词	半导体性锰硅化物 ; 硅单晶 ; 质量分析的低能离子束
地址	1. 中科院半导体所, 北京, 100083 2. 中科院半导体所, 微重力国家实验室, 北京, 100083
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	0253-4177
学科	电子技术、通信技术
基金	国家973计划 ; 国家攀登计划项目
文献收藏号	CSCD:533152

参考文献共 2 共1页

	1. Lin Zhang. J Mater Sci Materin Electronics,1991,2:116	被引 3 次
	2. Qin F. Rev Sci Instrum,1991,62:2322	被引 9 次

引证文献 3 篇

1 王金良硅基底上外延生长过渡金属硅化物薄膜的研究北京航空航天大学学报,2005,31(1):1-4
被引 0 次

2 赵伟 MnSi1.7半导体薄膜材料研究进展真空科学与技术学报,2008,28(6):539-546
被引 1 次

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