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硅单晶生长中氩气流动对氧碳含量的影响

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任丙彦 1   张志成 2   刘彩池 1   郝秋燕 1   王猛 1  
来源 半导体学报 ,2001,22(11):1416 【核心库】
关键词 CZSi ; 氩气流 ; 数值模拟 ; 氧碳含量
地址

1. 河北工业大学半导体材料研究所, 天津, 300130  

2. 中科院半导体所, 北京, 100083

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
基金 河北省科技攻关项目 ;  国家自然科学基金
文献收藏号 CSCD:533149

参考文献 共 3 共1页

1.  梁春广. GaN—第三代半导体的曙光. 半导体学报,1999,20(2):89-99 被引 46 次    
2.  Lin W. Silicon Processing ASTM STP 804,1983:24-38 被引 2 次    
3.  Huang X M. Jpn J Appl Phys,1994,33:1717 被引 1 次    
引证文献 1 篇

1 李进 氩气流速对400 mm大直径磁场直拉单晶硅固液界面、热应力及氧含量的影响 人工晶体学报,2014,43(5):1193-1198,1211
被引 5 次

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