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GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究

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文摘 采用BCl_3和Ar作为刻蚀气体对GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究，通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制。实验结果表明：在同样条件下GaAs刻蚀的速率高于DBR和AlAs，在一定条件下GaAs刻蚀的刻蚀速率可达400nm/min，AlAs的刻蚀速率可达350nm/min，DBR的刻蚀速率可达340nm/min，刻蚀后能够具有光滑的形貌，同时能够形成陡直的侧墙，侧墙的角度可达85°。
来源 半导体学报 ,2001,22(9):1222 【核心库】
关键词 反应离子刻蚀 ; 刻蚀速率 ; GaAs ; AlAs ; DBR
地址

中科院半导体所, 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京, 100083

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
基金 国家自然科学基金
文献收藏号 CSCD:533110

参考文献 共 4 共1页

1.  陈峥. Sol-Gel法制备的铁电薄膜和Pt/Ti下电极的反应离子刻蚀技术. 半导体学报,1999,20(2):172 被引 4 次    
2.  Lee J W. J Electrochem Soc,1996,143(6):2010 被引 1 次    
3.  Hahn Y B. J Vac Sci Technol B,1999,17(2):366 被引 1 次    
4.  Chang C V J M. J Vac Sci Technol B,1994,12(2):536 被引 1 次    
引证文献 3 篇

1 刘文楷 三维半导体GaAs量子阱微腔中的腔极化激元 半导体学报,2004,25(10):1319-1323
被引 0 次

2 孙丽媛 GaAs材料ICP刻蚀中光刻胶厚度及刻蚀条件对侧壁倾斜度的影响 功能材料与器件学报,2012,18(4):283-290
被引 3 次

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