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聚合物发光器件中输运特性的模拟分析

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熊绍珍 1   赵颖 1   吴春亚 1   郝云 1   王跃 2   陈有素 2   杨恢东 2   周祯华 2   俞钢 3  
文摘 对聚合物发光二极管I-V特性的测量发现,被测器件内存在着类似于某些无机器件中的负阻现象和“迟滞回线”状场致漂移的伏安特性。模拟分析表明,一种反向势垒的存在及其击穿,应是引起负阻现象的原因。缺陷态的存在及其电荷填充的变化,是导致I-V特性随偏压扫描方向变化的主要原因。而低场下的接触性能决定着发光二极管载流子的输运性质:若为非欧姆接触,则I-V曲线可用F-N隧穿模型来描述;若为欧姆接触,则应用陷阱电荷限制电流(TCL)模型来描述。
来源 半导体学报 ,2001,22(9):1176 【核心库】
关键词 聚合物发光二极管 ; 负阻现象 ; 反向势垒 ; F-N隧穿模型 ; 陷阱电荷限制电流(TCL)模型
地址

1. 南开大学光电子所, 教育部光电子信息技术科学开放实验室, 天津, 300071  

2. 中科院半导体所, 中科院半导体材料科学开放实验室, 北京, 100083  

3. UNIAX Corporation, 美国, CA93117

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
基金 国家自然科学基金
文献收藏号 CSCD:533101

参考文献 共 4 共1页

1.  熊绍珍. 发光学报,1998(增刊):72-76 被引 4    
2.  Xiong Shaozhen. Euro SID'99 Berlin Germany,1999:269 被引 1    
3.  Xiong Shaozhen. ASID'98,1998:649 被引 1    
4.  刘恩峰. 聚合物发光二极管中可逆的不稳定行为. 半导体学报,2000,21(6):580-585 被引 8    
引证文献 7

1 杨恢东 薄膜a-Si PIN/OLED图像传感显示器的设计与模拟 半导体学报,2002,23(8):846-851
被引 3

2 蒋业文 波长可调谐聚合膜/无机膜异质结电致发光 半导体学报,2003,24(2):162-167
被引 0 次

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