文摘
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对聚合物发光二极管I-V特性的测量发现,被测器件内存在着类似于某些无机器件中的负阻现象和“迟滞回线”状场致漂移的伏安特性。模拟分析表明,一种反向势垒的存在及其击穿,应是引起负阻现象的原因。缺陷态的存在及其电荷填充的变化,是导致I-V特性随偏压扫描方向变化的主要原因。而低场下的接触性能决定着发光二极管载流子的输运性质:若为非欧姆接触,则I-V曲线可用F-N隧穿模型来描述;若为欧姆接触,则应用陷阱电荷限制电流(TCL)模型来描述。 |
来源
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半导体学报
,2001,22(9):1176 【核心库】
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关键词
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聚合物发光二极管
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负阻现象
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反向势垒
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F-N隧穿模型
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陷阱电荷限制电流(TCL)模型
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地址
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1.
南开大学光电子所, 教育部光电子信息技术科学开放实验室, 天津, 300071
2.
中科院半导体所, 中科院半导体材料科学开放实验室, 北京, 100083
3.
UNIAX Corporation, 美国, CA93117
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语种
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中文 |
文献类型
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研究性论文 |
ISSN
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0253-4177 |
学科
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电子技术、通信技术 |
基金
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国家自然科学基金
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文献收藏号
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CSCD:533101
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