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在蓝宝石衬底两个相反c面同时生长氮化镓薄膜的差异

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韩培德 1   段晓峰 2   孙家龙 3   张泽 2   王占国 1  
文摘 运用金属有机气相外延设备,在蓝宝石衬底两相相反取向的c面上同时生长六方相氮化镓薄膜。对此进行了扫描电子显微镜、俄歇电子能谱、透射电子显微镜的分析和研究。发现这两个薄膜有许多不同之处。
来源 半导体学报 ,2001,22(8):1030 【核心库】
关键词 极性 ; GaN ; MOVPE ; 微观结构
地址

1. 中科院半导体所, 中科院半导体材料科学开放实验室, 北京, 100083  

2. 中科院凝聚态物理中心, 北京电子显微镜开放实验室, 北京, 100080  

3. 天津市半导体技术所, 天津, 300051

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
基金 国家863计划 ;  国家自然科学基金 ;  国家973计划
文献收藏号 CSCD:533071

参考文献 共 0

引证文献 2

1 Yang Li Synthesis of GaN Nanorods with Herringbone Morphology 半导体学报,2003,24(4):337-341
被引 0 次

2 张克华 蓝宝石衬底双面研磨的材料去除机理研究 中国机械工程,2008,19(23):2863-2866
被引 6

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