玻璃中CdSeS量子点的结构和光学性质

江德生 ¹ 李国华 ¹ 韩和相 ¹ 贾锐 ¹ 孙宝权 ¹ 王若桢 ² 孙萍 ²

文摘	用两步退火法在掺CdSeS的玻璃中制备了高密度的量子点，均匀性较好。量子点尺寸随第二步退火时间加长而增大，但组份基本不变。研究了量子点光学性质与退火时间的依赖关系，证明光致发光谱中的低能峰与量子点表面缺陷态有关。量子点尺寸越小，比表面越大，该峰相对强度越大。
来源	半导体学报 ,2001,22(8):996 【核心库】
关键词	CdSeS ; 量子点 ; 光致发光 ; 退火
地址	1. 中科院半导体所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京, 100083 2. 北京师范大学物理系, 北京, 100875
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	0253-4177
学科	电子技术、通信技术
基金	国家自然科学基金
文献收藏号	CSCD:533064

参考文献共 3 共1页

引证文献 8 篇

1 贾锐玻璃球形微腔中量子点发光行为研究红外与毫米波学报,2001,20(6):421
被引 0 次

2 吴畅书玻璃中半导体CdSSe量子点的界面态发光半导体学报,2003,24(5):481-484
被引 3 次

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