帮助 关于我们

返回检索结果

N型6H-SiCMOS电容的电学特性

查看参考文献5篇

来源 半导体学报 ,2001,22(6):755 【核心库】
关键词 碳化硅 ; MOS电容
地址

中科院半导体所, 北京, 100083

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-4177
学科 电工技术
文献收藏号 CSCD:533015

参考文献 共 5 共1页

1.  张玉明. n型6H-SiC体材料欧姆接触的制备. 半导体学报,1997,18(9):718-720 被引 10 次    
2.  臧岚. GaN/6H-SiC柴外探测的光电流性质研究. 半导体学报,1998,19(3):197-201 被引 4 次    
3.  王辉耀. 氩离子轰击对射频溅射法制备的a-SiC:H膜退火形成6H-SiC的影响. 半导体学报,1998,19(8):569-573 被引 4 次    
4.  张玉明. SiC肖特基势垒二极管的研制. 半导体学报,1999,20(11):1040-1043 被引 12 次    
5.  尚也淳. 电子辐照下的SiC少子寿命退化模型. 半导体学报,2000,21(2):169-173 被引 2 次    
引证文献 1 篇

1 徐静平 SiO_2／SiC界面对4H-SiC n—MOSFET反型沟道电子迁移率的影响 半导体学报,2004,25(2):200-205
被引 4 次

显示所有1篇文献

论文科学数据集
PlumX Metrics
相关文献

 作者相关
 关键词相关
 参考文献相关

版权所有 ©2008 中国科学院文献情报中心 制作维护：中国科学院文献情报中心
地址：北京中关村北四环西路33号 邮政编码：100190 联系电话：(010)82627496 E-mail:cscd@mail.las.ac.cn 京ICP备05002861号-4 | 京公网安备11010802043238号