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选择区域生长高质量InGaAsP多量子阱材料

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刘国利 1   王圩 1   张佰君 1   许国阳 1   陈娓兮 1   叶小玲 2   张静媛 1   汪孝杰 1   朱洪亮 1  
文摘 采用LP-MOVPE在SiO_2掩膜的InP衬底上实现了高质量的InGaAsP多量子阱(MQW)的选择区域生长(SAG)。通过改变生长温度和生长压力，MQW的适用范围由C波段扩展至L波段，即MQW的光致发光波长从1546nm延展至1621nm。光致发光(PL)测试表明：在宽达75nm的波长范围内，MQW的质量与非选择生长的MQW质量相当，并成功制作出电吸收调制DFB激光器(EML)。
来源 半导体学报 ,2001,22(5):609 【核心库】
关键词 选择区域生长 ; LP-MOCVD ; InGaAsP ; 多量子阱 ; EML
地址

1. 中科院半导体所国家光电子工艺中心, 北京, 100083  

2. 中科院半导体所, 中科院半导体材料科学开放实验室, 北京, 100083

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
基金 国家自然科学基金 ;  国家863计划
文献收藏号 CSCD:532986

参考文献 共 8 共1页

1.  Tanbun Ek T. J Cryst Growth,1994,145:902-906 被引 3 次    
2.  Moo Sung Kim. J Cryst Growth,1992,123:69-74 被引 1 次    
3.  Chen Y. Appl Phys Lett,1993,62(14):1641-1643 被引 1 次    
4.  许国阳. Monolithic Integration of DFB Laser Diode and Electroabsorption Modulator by Selective Area Growth Technology. 半导体学报,1999,20(8):706-709 被引 2 次    
5.  罗毅. 2.5Gb/s1.55μm InGaAsP/InP分布反馈激光器/电吸收调制器单片集成器件. 半导体学报,1999,20(8):416-420 被引 5 次    
6.  刘国利. 半导体学报 被引 1 次    
7.  Lin S C. Appl Phys Lett,1989,34:1100-1102 被引 2 次    
8.  刘国利. 中国激光 被引 2 次    
引证文献 1 篇

1 张永明 808nm InGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性 半导体学报,2005,26(9):1793-1797
被引 0 次

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