InGaN光致发光性质与温度的关系

樊志军刘祥林万寿科王占国

文摘	分析了用金属有机物气相外延方法(MOVPE)在蓝宝石衬底上生长的铟镓氮(InGaN)的光致发光(PL)性质。发现在4.7K至300K范围内，随着温度升高，InGaN带边辐射向低能方向移动，峰值变化基本符合Varshni经验公式；同时InGaN发光强度虽有所衰减，但比GaN衰减程度小，分析了导致GaN和InGaN光致发光减弱的可能因素。
来源	半导体学报 ,2001,22(5):569 【核心库】
关键词	InGaN ; 变温 ; 光致发光
地址	中科院半导体所, 中科院半导体材料科学开放实验室, 北京, 100083
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	0253-4177
学科	电子技术、通信技术
基金	国家自然科学基金
文献收藏号	CSCD:532979

参考文献共 3 共1页

	1. 陆大成. A Quasi-Therm odynam ic Model of MOVPE of InGaN. 半导体学报,2000,21(2):105-114	被引 4 次
	2. 李顺峰. 高质量立方相InGaN的生长. 半导体学报,2000,21(6):548-553	被引 2 次
	3. Shan W. Appl Phys Lett,1995,66:985-987	被引 10 次

引证文献 3 篇

1 康凌掺硅InGaN和掺硅GaN的光学性质的研究液晶与显示,2004,19(4):266-269
被引 3 次

2 孔令民 InGaN/GaN多量子阱的变温发光特性研究半导体光电,2008,29(6):909-912
被引 1 次

论文科学数据集

PlumX Metrics

相关文献
作者相关关键词相关参考文献相关

返回检索结果