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文摘
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研究了热处理对非掺杂n型氮化镓外延层光致发光谱的影响和光谱中各发光带强度与温度之间的关系。热处理后，光谱中的带边峰和黄光峰的强度较热处理前都有明显降低。黄光峰强度随温度升高的衰减速度要比带边峰慢得多。由这些实验结果得出结论：光谱中的带边峰是由自由激子和束缚在一浅施主能级的束缚激子的谱线重合而成，这个浅施主能级很有可能是由氮空位产生；黄色荧光的机制应为自由电子或施主能级向深受主能级的跃迁，并且黄色荧光肯定和氮化镓中的一内部缺陷产生的深受主能级有关，该内部缺陷很有可能是镓空位。 |
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来源
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半导体学报
,2001,22(4):431 【核心库】
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关键词
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氮化镓
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光致发光
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热处理
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地址
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1.
中科院半导体所, 中科院半导体材料科学开放实验室, 北京, 100083
2.
北京科技大学材料科学与工程学院, 北京, 100083
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语种
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中文 |
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文献类型
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研究性论文 |
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ISSN
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0253-4177 |
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学科
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电子技术、通信技术 |
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文献收藏号
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CSCD:532951
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