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分布布拉格反射器(DBR)对半导体微腔一些特性的影响

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文摘 从光学传输矩阵方法出发,研究了分布布拉格反射器(DBR)生长顺序的不同对半导体平面微腔中电场振幅极大值位置及整个微腔选频特性的影响;同时指出了DBR对于λ_0/2和λ_0腔不同情况的最佳生长模式。
来源 半导体学报 ,2001,22(3):335 【核心库】
关键词 半导体平面微腔 ; 光学传输矩阵
地址

中科院半导体所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京, 100083

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
基金 国家自然科学基金
文献收藏号 CSCD:532932

参考文献 共 4 共1页

1.  郑厚植. 半导体微腔物理及其应用. 半导体学报,1997,18(7):481-491 被引 15    
2.  Zhu Yifu. Phys Rev Lett,1990,64:2499-2502 被引 7    
3.  郭长志. 分布反射面发射垂直微腔半导体激光器的微腔效应. 物理学报,1997,46(9):1731-1743 被引 15    
4.  黄永箴. 垂直腔面发射激光器中顶层相位对模式特性的影响. 光学学报,2000,20(2):181-185 被引 5    
引证文献 2

1 姚永昭 硅基垂直腔面光发射器件的研制 清华大学学报. 自然科学版,2005,45(4):553-556
被引 0 次

2 闫玲玲 种微腔有机发光二极管的设计与性能研究 液晶与显示,2006,21(4):324-329
被引 0 次

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