GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布

张秀兰朱文珍黄大定

文摘	通过实验研究了一种与Ge_xSi_(1-x)合金表面具有良好电化学界面的电解液，利用电化学C-V方法研究了多层Ge_xSi_(1-x)/Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布。实验结果表明：采用这种电解液，利用电化学C-V载流子浓度纵向分布测量仪检测Ge_xSi_(1-x)/Si异质材料的载流子深度纵向分布，重复性好，可靠性高。
来源	半导体学报 ,2001,22(3):288 【核心库】
关键词	GexSi1-x合金 ; 电解液 ; 电化学C-V
地址	中科院半导体所, 中科院半导体材料科学开放实验室, 北京, 100083
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	0253-4177
学科	电子技术、通信技术
文献收藏号	CSCD:532922

参考文献共 1 共1页

1. Liu Ronghuan. Conference on GaAs and Related Compounds,1997:235-237

被引 1 次

引证文献 2 篇

1 戴显英应变Si_(1-x)Ge_x材料掺杂浓度的表征技术半导体学报,2003,24(9):946-950
被引 3 次

2 Hu Huiyong Growth of Strained Si1-xGex Layer by UV/UHV/CVD 半导体学报,2005,26(4):641-644
被引 4 次

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