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CMOS/SOI64Kb静态随机存储器

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刘新宇 1   韩郑生 2   周小茵 2   海潮和 2   刘忠立 3   吴德馨 2  
来源 半导体学报 ,2001,22(1):47 【核心库】
关键词 ATD电路 ; DWL技术 ; SOIESD电路 ; 两级灵敏放大器
地址

1. 中科院微电子中心, 北京  

2. 中科院微电子中心, 北京, 100029  

3. 中科院半导体所, 北京, 100083

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-4177
学科 自动化技术、计算机技术
文献收藏号 CSCD:532875

参考文献 共 5 共1页

1.  王守武. 半导体学报,1985,6(3):225-235 被引 8    
2.  夏永伟. 薄膜SOI结构中反型厚度与薄膜厚度的关系. 半导体学报,1990,11(12):962-965 被引 2    
3.  美国HArris公司. 美国Harris公司HS-65647RH技术手册 被引 1    
4.  Liu S T. IEEE Trans Nuclear Science,1998,45(6):57-64 被引 1    
5.  张兴. 微电子学与计算机,1991(1):41-44 被引 1    
引证文献 2

1 张锋 一种用于SRAM快速仿真的模型 半导体学报,2005,26(6):1264-1268
被引 2

2 刘必慰 基于PD SOI工艺的8 Kb抗辐照静态存储器 计算机工程与科学,2009,31(7):81-84
被引 0 次

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