文摘
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研究了离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的GaNAs/GaAs和GaInNAs/GaAs量子阱的影响。研究表明离子损伤是影响GaNAs和GaInNAs量子阱质量的关键因素。去离子磁场能有效地去除了等离子体活化产生的氮离子。对于使用去离子磁场生长的GaNAs和GaInNAs量子阱样品,X射线衍射测量和PL谱测量都表明样品的质量被显著地提高。GaInAs量子阱的PL强度已经提高到可以和同样条件下生长的GaInAs量子阱相比较,研究也表明使用的磁场强度越强,样品的光学质量提高越明显。 |
来源
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半导体学报
,2001,22(1):31 【核心库】
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关键词
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Ga(In)NAs
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分子束外延(MBE)
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离子损伤
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X射线衍射
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光致发光
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地址
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中科院半导体所, 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京, 100083
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语种
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中文 |
文献类型
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研究性论文 |
ISSN
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0253-4177 |
学科
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电子技术、通信技术 |
基金
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国家攀登计划项目
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国家自然科学基金
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文献收藏号
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CSCD:532872
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