离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的 Ga NAs/ Ga As和Ga In NAs/ Ga As量子阱的影响（英文）

李联合潘钟张伟林耀望王学宇吴荣汉

文摘	研究了离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的GaNAs/GaAs和GaInNAs/GaAs量子阱的影响。研究表明离子损伤是影响GaNAs和GaInNAs量子阱质量的关键因素。去离子磁场能有效地去除了等离子体活化产生的氮离子。对于使用去离子磁场生长的GaNAs和GaInNAs量子阱样品，X射线衍射测量和PL谱测量都表明样品的质量被显著地提高。GaInAs量子阱的PL强度已经提高到可以和同样条件下生长的GaInAs量子阱相比较，研究也表明使用的磁场强度越强，样品的光学质量提高越明显。
来源	半导体学报 ,2001,22(1):31 【核心库】
关键词	Ga(In)NAs ; 分子束外延(MBE) ; 离子损伤 ; X射线衍射 ; 光致发光
地址	中科院半导体所, 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京, 100083
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	0253-4177
学科	电子技术、通信技术
基金	国家攀登计划项目 ; 国家自然科学基金
文献收藏号	CSCD:532872

参考文献共 3 共1页

引证文献 1 篇

1 Wei Xin Metalorganic Chemical Vapor Deposition of GaNAs Alloy Using Dimethylhydrazine as Nitrogen Precursor 半导体学报,2002,23(6):565-570
被引 0 次

论文科学数据集

PlumX Metrics

相关文献
作者相关关键词相关参考文献相关

返回检索结果