纳米硅薄膜的Raman光谱
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文摘
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通过等离子增强化学气相沉积法,制备了本征和掺磷的氢化纳米硅薄膜(nc-Si:H)，研究了晶粒尺寸和掺杂浓度对纳米硅薄膜喇曼谱的影响。结果表明晶粒变小和掺杂浓度增加都使纳晶粒的TO模峰位逐渐偏离声子限制模型的计算值。X射线衍射和高分辨电镜像的结果表明晶粒变小导致硅晶粒应力增加，而掺要使晶粒内部杂质和缺陷增多，这些因素破坏了晶粒变小导致晶粒应力增加，而掺杂使晶粒内部杂质和缺陷增多，这些因素破坏了晶粒内晶格的平移对称性进一步减小声子的平均自由程，导致实验值偏离理论计算值。晶格平称对称性的破缺还体现在，随晶粒尺寸减小或掺杂浓度增加，喇曼谱中TA、L振动模的相对散射强度增加。 |
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来源
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半导体学报
,2000,21(12):1170 【核心库】
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关键词
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纳米硅薄膜
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喇曼谱
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声子限制模型
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地址
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1.
兰州大学材料科学系, 甘肃, 兰州, 730000
2.
中科院半导体所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京, 100083
3.
北京航空航天大学材料物理与化学研究中心, 北京, 100083
4.
中科院上海技术物理所, 红外物理国家重点实验室, 上海, 200083
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语种
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中文 |
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文献类型
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研究性论文 |
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ISSN
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0253-4177 |
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学科
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物理学;电子技术、通信技术 |
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基金
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国家自然科学基金
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文献收藏号
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CSCD:532856
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参考文献 共
10
共1页
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1.
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Phys Rev B,1987,B35:9085
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被引
51
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被引
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次
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被引
3
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