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文摘
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采用阶跃式GeH_4流量增加和温度降低的方法，超高真空化学气相淀积系统中生长了线性渐变组份的SiGe缓冲层，并在其上生长出了弛豫的Si_(0.48)Ge_(0.32)外延层。俄歇电子能谱证实缓冲层Ge组份呈线性渐变。Raman散射谱得出上表层应变弛豫度为32%,与X射线双晶衍射结果符合得很好。腐蚀的样品观察到沿两个<110>方向规律性分布、大小和螺旋走向完全一致的位错团密度约5×10~7/cm~2。分析了位错团产生的原因。 |
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来源
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半导体学报
,2000,21(11):1111 【核心库】
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关键词
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超高真空化学气相淀积
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SiGe
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Raman散射
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俄歇电子能谱
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X射线双晶衍射
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地址
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中科院半导体所, 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京, 100083
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语种
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中文 |
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文献类型
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研究性论文 |
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ISSN
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0253-4177 |
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学科
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电子技术、通信技术 |
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基金
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国家自然科学基金
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文献收藏号
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CSCD:532847
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