Annealing Behavior of Si_(1-x)Ge_x/Si Heterostructures

于卓 ¹ 李代宗 ¹ 成步文 ¹ 李成 ¹ 雷震霖 ² 黄昌俊 ¹ 张春辉 ¹ 余金中 ¹ 王启明 ¹ 梁骏吾 ¹

来源	半导体学报 ,2000,21(10):962 【核心库】
关键词	SiGe ; heterojunction ; annealing
地址	1. 中科院半导体所, 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京, 1 0 0 0 83 2. 中科院沈阳科学仪器研制中心, 辽宁, 沈阳, 1 1 0 0 0
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	0253-4177
学科	电子技术、通信技术
基金	国家自然科学基金
文献收藏号	CSCD:532817

参考文献共 4 共1页

	1. 成步文. Quantum Confinement Effects in Strained Si Ge/Si Multiple Quantum Wells. 半导体学报,2000,21(4):313	被引 1 次
	2. 成步文. UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料. 半导体学报,2000,21(3):250	被引 7 次
	3. 刘学锋. GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管. 半导体学报,1999,20(4):287	被引 5 次
	4. Zi Jian. J Phys Condens Matter,1991,3:6239	被引 1 次

引证文献 3 篇

1 Guo Hui Near-Infrared Si_(0.7)Ge_(0.3)Si p-i-n Photodetector Fabricated on SOI in CMOS Technology 半导体学报,2002,23(1):16-20
被引 1 次

2 罗益民硅中高剂量锗离子注入的快速热退火研究材料导报,2004,18(7):101-103
被引 1 次

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李成 0000-0002-3951-2092

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