用固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元材料

于卓李代宗成步文黄昌俊雷震霖余金中王启明梁骏吾

文摘	分析了Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元系材料外延生长的特点，指出原子性质上的巨大差异使Si_(1-x-y)G_xC_y材料的制备比较困难。固相外延生长是制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y的有效方法，但必须对制备过程各环节的条件进行优化选择。通过实验系统地研究了离子注入过程中温度条件的控制对外延层质量的影响以及外延退火条件的造反与外延层结晶质量的关系。指出在液氮温度下进行离子注入能够提高晶体质量，而注入过程中靶温过高会导致动态退火效应，影响以后的再结晶过程。采用两步退火方法有利于消除注入引入的点缺陷，而二次外延退火存在着一个最佳退火温区，在此基础上优化得出了固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y/Si材料的最佳条件。
来源	半导体学报 ,2000,21(9):862 【核心库】
关键词	Si_(1-x-y)Ge_xC_y材料 ; 固相外延
地址	中科院半导体所, 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京, 100083
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	0253-4177
学科	电子技术、通信技术
基金	国家自然科学基金
文献收藏号	CSCD:532801

参考文献共 4 共1页

引证文献 3 篇

1 王引书 C离子注入Si中Si-C合金的形成及其特征半导体学报,2001,22(8):979
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2 祁慧 Si1—x—yGexCy合金半导体技术及其应用微电子学,2003,33(2):127-131
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