GSMBE生长的高质量氮化镓材料

孙殿照 ¹ 王晓亮 ¹ 王军喜 ¹ 刘宏新 ¹ 刘成海 ¹ 曾一平 ¹ 李晋闽 ¹ 侯洵 ² 林兰英 ¹

文摘	使用NH_3作氮源，采用GSMBE方法在(0001)Al_2O_3衬底上生长出了高质量的GaN单晶外延膜。1.2μm厚的GaN外延膜的(0002)X射线双晶衍射峰回摆曲线的半高宽为6'，室温电子迁移率为300cm~2(V·s),背景电子浓度约为3×10~(17)cm~(-3)。
来源	半导体学报 ,2000,21(7):723 【核心库】
关键词	氮化镓 ; 分子束外延
地址	1. 中科院半导体所, 北京, 100083 2. 中科院西安光学精密机械所, 陕西, 西安, 710069
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	0253-4177
学科	电子技术、通信技术
文献收藏号	CSCD:532774

参考文献共 3 共1页

引证文献 4 篇

1 孙殿照 RF-MBE生长AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料半导体学报,2001,22(11):1425
被引 3 次

2 胡国新 RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料材料科学与工艺,2001,9(3):316
被引 1 次

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李晋闽 0000-0002-0900-2497

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