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a-SiO_x∶H/a-SiO_y∶H多层薄膜微结构的退火行为

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郭震宁 1   黄永箴 2   郭亨群 3   李世忱 1   王启明 2  
来源 半导体学报 ,2000,21(6):576 【核心库】
关键词 退火 ; 微结构 ; 多层薄膜
地址

1. 天津大学精密仪器与光电子工程学院, 天津, 300072  

2. 中科院半导体所, 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京, 100083  

3. 华侨大学应用物理系, 福建, 泉州, 362011

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
基金 集成光电子学国家重点联合实验室基金 ;  国家自然科学基金
文献收藏号 CSCD:532748

参考文献 共 9 共1页

1.  Tsu R. Phys B,1993,B189:235 被引 2    
2.  Zhu J G. J Appl Phys,1995,78:4386 被引 9    
3.  何宇亮. 纳米硅薄膜的研制. 中国科学.A,1992,22(9):995 被引 46    
4.  Zhao X. Jpn J Appl Phys,1994,33:L649 被引 5    
5.  Zhang Q. Appl Phys Lett,1995,66:1997 被引 2    
6.  Augustine B H. J Appl Phys,1995,78:15 被引 3    
7.  马智训. 氢化非晶氧化硅薄膜光致发光起源的探讨. 半导体学报,1999,20:162 被引 2    
8.  Min K S. Appl Phys Lett,1996,69:2033 被引 28    
9.  Lin Chihuei. Appl Phys Lett,1993,63:902 被引 5    
引证文献 1

1 郭震宁 硅量子点的介电受限特性 华侨大学学报. 自然科学版,2001,22(2):143
被引 0 次

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