UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学

于卓李代宗成步文黄昌俊雷震霖余金中王启明梁骏吾

文摘	利用SiH_4和GeH_4作为源气体，对UHV/CVD生长Si_(1-x)Ge_x/Si外延层的表面反应机理进行了研究，通过TPD、RHEED等实验观察了Si(100)表面SiH_4的饱和吸附、热脱附过程，得出SiH_4的分解应该是每个SiH_4分子的4个H原子全部都吸附到了Si表面，SiH_4的吸附率正比于表面空位的4次方，并分析了GeH_4的表面吸附机制。在此基础上建立了UHV/CVD生长Si_(1-x)Ge_x/Si的表面反应动力学模型,利用模型对实验结果进行了模拟，二者符合得很好。
来源	半导体学报 ,2000,21(6):564 【核心库】
关键词	SiGe/Si ; UHV/CVD ; 生长 ; 动力学
地址	中科院半导体所, 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京, 100083
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	0253-4177
学科	电子技术、通信技术
基金	国家自然科学基金 ; 国家863计划
文献收藏号	CSCD:532746

参考文献共 3 共1页

引证文献 1 篇

1 戴显英锗硅/硅异质结材料的化学气相淀积生长动力学模型物理学报,2011,60(6):065101-1-065101-7
被引 1 次

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