用于先进 CMOS电路的 150 mm硅外延片外延生长(英文)

王启元蔡田海郁元桓林兰英

文摘	随着大规模和超大规模集成电路特征尺寸向亚微米、深亚微米发展，下一代集成电路对硅片的表面晶体完整性和电学性能提出了更高的要求。与含有高密度晶体原生缺陷的硅抛光片相比，硅外延片一般能满足这些要求。该文报道了应用于先进集成电路的150mmP/P~+ CMOS硅外延片研究进展。在PE2061硅外延炉上进行了P/P~+硅外延生长。外延片特征参数，如外延层厚度、电阻率均匀性，过渡区宽度及少子产生寿命进行了详细表征。研究表明:150mm P/P~+CMOS硅外延片能够满足先进集成电路对材料更高要求。
来源	半导体学报 ,2000,21(5):426 【核心库】
关键词	硅 ; 外延生长
地址	中科院半导体所, 北京, 100083
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	0253-4177
学科	电子技术、通信技术
基金	国家“九五”项目
文献收藏号	CSCD:532721

参考文献共 1 共1页

1. 叶志镇. UHV/CVD低温生长硅外延层的性能研究. 半导体学报,1998,19(8):565

被引 6 次

引证文献 2 篇

1 吴锋民 Simulation of Nano Si and Al Wires Growth on Si(100) Surface 半导体学报,2000,21(11):1116
被引 1 次

2 王启元 CMOS集成电路用Φ150?200mm外延硅材料半导体学报,2001,22(12):1538
被引 0 次

论文科学数据集

PlumX Metrics

相关文献
作者相关关键词相关参考文献相关

返回检索结果