In_2O_3∶Sn和ZnO∶Al透明导电薄膜的结构及其导电机制

陈猛白雪冬黄荣芳闻立时

参考文献共 4 共1页

	1. 姜燮昌. 真空,1995,6:1	被引 6 次
	2. 马谨. 半导体学报,1998,19:473	被引 1 次
	3. Fan J C C. Appl Phys Lett,1977,31:337	被引 1 次
	4. 吴彬. 退火处理对透明导电CdIn↓2O↓4薄膜光学、电学性质及其能带结构的影响. 半导体学报,1997,18:151	被引 12 次

引证文献 21 篇

1 范志新氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量理论计算半导体学报,2001,22(11):1382
被引 22 次

2 范志新透明导电薄膜最佳掺杂含量的理论计算半导体学报,2002,23(6):589-592
被引 4 次

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