Quantum Confinement Effects in Strained Si Ge/Si Multiple Quantum Wells

成步文李代宗黄昌俊张春晖于卓余金中王启明

参考文献共 2 共1页

	1. 成步文. UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料. 半导体学报,2000,21(3):250	被引 7 次
	2. 雷震霖. 真空,1997,6:14	被引 6 次

引证文献 1 篇

1 于卓 Annealing Behavior of Si_(1-x)Ge_x/Si Heterostructures 半导体学报,2000,21(10):962
被引 3 次

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