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文摘
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以Si_2H_6和GeH_4作为源气体，用UHV/CVD方法在Si(100)衬底上生长了Si_(1-x)Ge_x合金材料和Si_(1-x)Ge_x/Si多量子阱结构。用原子力显微镜、X光双晶衍射和透射电子显微镜对样品的表面形貌、均匀性、晶格质量、界面质量等进行了研究。结果表明样品的表面平整光滑，平均粗糙度为1.2nm；整个外延片各处的晶体质量都比较好，各处生长速率平均偏差3.31%，合金组分x值的平均偏差为2.01%;Si_(1-x)Ge_x/Si多量子阱材料的X光双晶衍射曲线中不仅存在多级卫星峰，而且在卫星峰之间观察到了Pendellosung条纹，表明晶格质量和界面质量都很好；Si_(1-x)Ge_x/Si多量子阱材料的TEM照片中观察不到位错的存在。 |
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来源
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半导体学报
,2000,21(3):250 【核心库】
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关键词
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SiGe
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异质结
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UHV/CVD
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地址
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中科院半导体所, 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京, 100083
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语种
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中文 |
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ISSN
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0253-4177 |
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学科
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电子技术、通信技术 |
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基金
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国家自然科学基金
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国家863计划
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文献收藏号
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CSCD:532688
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