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文摘
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铒离子在硅中呈现弱施主特性，O、Er双掺杂提高施主浓度两个数量级。氧杂质与铒离子形成复合体，其施主能级可能是铒离子发光能量转换的重要通道。提出了掺铒硅光致发光激子传递能量模型，建立了发光动力学速率方程，并进行了详细推导。发光效率与光激活铒离子浓度、激发态寿命及自发辐射寿命等因素有关。指出铒离子－束缚激子复合体的热离体和激发态铒离子能量反向传递是引起铒离子发光温度猝灭的主要原因。拟合PL测量实验结果表明：它们对应的激活能分别为6.6meV和47.4meV。 |
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来源
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半导体学报
,2000,21(3):232 【核心库】
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关键词
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激子传递能量
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光致发光
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掺铒硅
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地址
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中科院半导体所, 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京, 100083
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语种
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中文 |
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ISSN
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0253-4177 |
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学科
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电子技术、通信技术 |
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基金
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国家自然科学基金
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文献收藏号
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CSCD:532685
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