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Characterization of Ga N_x As_(1 - x) Alloy Grownon Ga As by Molecular Beam Epitaxy

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来源 半导体学报 ,2000,21(3):219 【核心库】
地址

中科院半导体所, 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京, 100083

语种 中文
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
基金 集成光电子学国家重点联合实验室基金 ;  国家863计划 ;  国家自然科学基金 ;  中国科学院项目
文献收藏号 CSCD:532683

参考文献 共 6 共1页

1.  Bi W G. Appl Phys Lett,1997,70:1608 被引 4    
2.  Bellaiche L. Appl Phys Lett,1997,70:3558 被引 8    
3.  Ougazzaden A. Appl Phys Lett,1997,70:2861 被引 2    
4.  Pan Z. J Appl Phys,1999,86:5302 被引 7    
5.  Wei S H. Phys Rev Lett,1996,76:664 被引 20    
6.  Bellaiche L. Phys Rev B,1996,B54:17568 被引 6    
引证文献 1

1 Wei Xin Metalorganic Chemical Vapor Deposition of GaNAs Alloy Using Dimethylhydrazine as Nitrogen Precursor 半导体学报,2002,23(6):565-570
被引 0 次

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