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Characterization of Ga N_x As_(1 - x) Alloy Grownon Ga As by Molecular Beam Epitaxy
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来源
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半导体学报
,2000,21(3):219 【核心库】
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地址
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中科院半导体所, 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京, 100083
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语种
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中文 |
ISSN
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0253-4177 |
学科
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电子技术、通信技术 |
基金
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集成光电子学国家重点联合实验室基金
;
国家863计划
;
国家自然科学基金
;
中国科学院项目
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文献收藏号
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CSCD:532683
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参考文献 共
6
共1页
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1.
Bi W G.
Appl Phys Lett,1997,70:1608
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被引
4
次
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2.
Bellaiche L.
Appl Phys Lett,1997,70:3558
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被引
8
次
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3.
Ougazzaden A.
Appl Phys Lett,1997,70:2861
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被引
2
次
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4.
Pan Z.
J Appl Phys,1999,86:5302
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被引
7
次
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5.
Wei S H.
Phys Rev Lett,1996,76:664
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被引
20
次
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6.
Bellaiche L.
Phys Rev B,1996,B54:17568
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被引
6
次
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