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用气态源分子束外延生长法制备Si/SiGe/Sinpn异质结双极晶体管

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来源 半导体学报 ,2000,21(2):142 【核心库】
关键词 气源分子束外延 ; 异质结双极晶体管 ; 硅锗合金
地址

中科院半导体所, 北京, 100083

语种 中文
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
基金 国家“九五”项目
文献收藏号 CSCD:532668

参考文献 共 4 共1页

1.  郭宝增. Si/Si1—xGex应变层异质结双极晶体管(HBT)交直流特性的仿真研究. 半导体学报,1998,19(10):764 被引 6    
2.  King C A. IEDM Tech Dig,1995:95 被引 1    
3.  刘学锋. 功能材料与器件学报,1997,3:181 被引 1    
4.  刘学锋. 半导体学报,1999,19:896 被引 1    
引证文献 1

1 于兆亮 离子液体中硅锗膜共沉积过程的反应特性 吉林大学学报. 理学版,2014,52(5):1031-1034
被引 1

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李晋闽 0000-0002-0900-2497
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