文摘
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通过优化设计量子阱结构和列阵结构,减小腔面光功率密度,避免器件腔面灾变损伤,得到1cm AlGaAs/GaAs激光二极管线列阵,在热沉温度21℃,脉冲宽度200μs,重复频率100Hz时,输出峰值功率达157W。 |
来源
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半导体学报
,2000,21(1):102 【核心库】
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关键词
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激光二极管
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列阵
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准连续
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地址
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中科院半导体所国家光电技术研究中心, 北京, 100083
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语种
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中文 |
文献类型
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研究性论文 |
ISSN
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0253-4177 |
学科
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电子技术、通信技术 |
文献收藏号
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CSCD:532661
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