GSMBE原位生长SiGeHBT材料

黄大定刘金平李建平林燕霞刘学锋李灵霄孙殿照孔梅影林兰英

来源	半导体学报 ,1999,20(12):1049 【核心库】
地址	中科院半导体所, 北京, 100083
语种	中文
ISSN	0253-4177
学科	电子技术、通信技术
基金	国家“九五”项目
文献收藏号	CSCD:532625

参考文献共 7 共1页

	1. 张进书. 超高真空化学气相淀积法生长的n-Si/i-p—＋-i SiGe/n-Si结构的透射电镜和二次离子质谱分析. 半导体学报,1998,19(5):394	被引 1 次
	2. 邹德恕. 在液氮温度下具有高增益的SiGe/Si HBT. 半导体学报,1997,18(5):367	被引 4 次
	3. 邹吕凡. 应变Si↓（1-x）Ge_x/Si异质结材料的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究. 半导体学报,1997,18(5):333	被引 2 次
	4. 李建平. 第四届全国分子束外延学术会议,1997,9:114	被引 1 次
	5. 刘学锋. GSMBE 生长掺杂 Si 及GeSi/Si合金及其电学性质研究. 半导体学报,1998,19(12):896	被引 1 次
	6. Liu J P. J Cryst Growth,1998,193:35	被引 1 次
	7. 李建平. 低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响. 半导体学报,1999,20(7):559	被引 1 次

引证文献 4 篇

1 林燕霞 Carrier Depth Profile of Si/SiGe/Si n-p-n HBTStructural Materials Characterized by Electrochemical Capacitance- Voltage Method 半导体学报,2000,21(11):1050
被引 0 次

2 贾宏勇采用高真空 /快速热处理 /化学气相淀积外延SiGe HBT结构（英文）半导体学报,2001,22(3):251
被引 0 次

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