Quasi-Thermodynamic Model for MOVPE of AlGaN

陆大成 ¹ 段树坤 ²

来源	半导体学报 ,1999,20(11):1026 【核心库】
地址	1. 中科院半导体所, 中科院半导体材料科学开放实验室, 北京 2. 中科院半导体所, 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京
语种	中文
ISSN	0253-4177
学科	电子技术、通信技术
基金	国家863计划 ; 国家自然科学基金
文献收藏号	CSCD:532621

参考文献共 5 共1页

	1. Lu D C. J Cryst Growth,1992,124:383	被引 3 次
	2. Lu D C. J Cryst Growth,1993,129:629	被引 4 次
	3. Duan S K. Proc Int Sympo Blue Laser and Light Emitting Diodes,1996:332	被引 1 次
	4. Duan S K. J Cryst Growth,1997,170:514	被引 2 次
	5. Duan S K. Mater Res Soc Symp Proc,1997,468:81	被引 2 次

引证文献 3 篇

1 陆大成 A Quasi-Therm odynam ic Model of MOVPE of InGaN 半导体学报,2000,21(2):105
被引 4 次

2 陆大成 Quasi-Thermodynamic Model of MOVPE of InAlN 半导体学报,2000,21(8):729
被引 1 次

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