帮助 关于我们

返回检索结果

质子辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料光学性质的影响

查看参考文献8篇

黄万霞 1   林理彬 1   曾一平 2   潘量 2  
文摘 用固定能量为20keV，剂量为10~(11)～10~(13)/cm~2的质子和固定剂量为1×10~(11)/cm~2，能量为30～100keV的质子，对GaAs/AlGaAs多量子阱材料进行辐照，得到了材料的光致发光特性随质子能量和剂量的变化关系，并进行了讨论。结果表明，质子辐照对材料的光学性质有破坏性的影响，这种影响是通过两种机制引起的。相同能量的质子辐照，随着辐照剂量的增大，对量子阱光致发光峰的破坏增大。相同剂量的质子辐照，当辐照质子的射程刚好覆盖整个量子阱结构区域时，对量子阱光致发光峰的破坏最严重，当辐照质子的射程超过量子阱结构区域时，对量子阱光致发光峰的破坏反而减小。
来源 半导体学报 ,1999,20(11):957 【核心库】
地址

1. 四川大学物理系, 辐射物理及技术开放实验室, 四川, 成都, 610064  

2. 中科院半导体所, 北京, 100083

语种 中文
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
基金 国家教育部高等学校博士学科点专项科研基金 ;  国家自然科学基金
文献收藏号 CSCD:532609

参考文献 共 8 共1页

1.  卢励吾. 半导体学报,1994,15(5):785 被引 1 次    
2.  卢励吾. MOCVD生长的硅衬底上GaAlAs/GaAs单量子阱和多量子阱激光器深能级研究. 半导体学报,1992,13(3):155 被引 8 次    
3.  林理彬. HEMT材料的电子辐射效应. 四川大学学报,1995(2):39 被引 5 次    
4.  Seeger K. 半导体物理学:408 被引 1 次    
5.  . 原子核物理实验方法:55 被引 1 次    
6.  彭英才. 半导体杂志,1991,16(9):46 被引 1 次    
7.  沈学础. 半导体光学性质,1992:633 被引 5 次    
8.  刘恩科. 半导体物理学:225 被引 1 次    
引证文献 5 篇

1 廖志君 粒子束辐照在AlGaAs/GaAs量子阱材料中引入的深能级缺陷 四川大学学报. 自然科学版,2000,37(5):715
被引 3 次

2 邹睿 半导体量子阱材料的自由电子激光辐照效应及OTCS测试研究 强激光与粒子束,2003,15(1):33-36
被引 0 次

显示所有5篇文献

论文科学数据集
PlumX Metrics
相关文献

 作者相关
 关键词相关
 参考文献相关

版权所有 ©2008 中国科学院文献情报中心 制作维护：中国科学院文献情报中心
地址：北京中关村北四环西路33号 邮政编码：100190 联系电话：(010)82627496 E-mail:cscd@mail.las.ac.cn 京ICP备05002861号-4 | 京公网安备11010802043238号