铕离子注入氧化硅膜光发射的研究

王亮 ¹ 朱美芳 ² 郑怀德 ³ 侯延冰 ⁴ 刘丰珍 ¹

文摘	采用铕离子注入热生长SiO_2薄膜的方法，获得掺杂剂量为10~(14) cm~(-2)及10~(15)cm~(-2)的SiO_2:Eu~(3+)硅基复合膜，研究了该薄膜的光致发光退火特性。经1000℃退火后观察到Eu~(3+)的红光发射。在1200℃下氮气中退火观察到Eu~(2+)450 nm的强光发射。讨论了Eu~(3+)向Eu~(2+)的转变。
来源	半导体学报 ,1999,20(10):841 【核心库】
地址	1. 中国科学技术大学研究生院物理学部, 稀土材料化学应用国家重点实验室, 北京, 100871 2. 中国科学技术大学研究生院物理学部, 稀土材料化学应用国家重点实验室, 北京, 100039 3. 中科院半导体所, 北京, 100083 4. 北方交通大学光电子研究所, 北京, 100044
语种	中文
ISSN	0253-4177
学科	电子技术、通信技术
文献收藏号	CSCD:532587

参考文献共 3 共1页

引证文献 1 篇

1 刘丰珍共溅射和离子注入制备的SiO_2（Eu）薄膜中Eu~（3＋）到Eu~（2＋）的转变物理学报,2001,50(3):532
被引 2 次

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