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InAs量子点的原子力显微镜测试结果分析

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龚谦 1   梁基本 1   徐波 1   丁鼎 1   王占国 1   裘晓辉 2   商广义 2   白春礼 2  
来源 半导体学报 ,1999(8):662 【核心库】
地址

1. 中科院半导体所, 北京, 100083  

2. 中科院化学所, 北京, 100080

语种 中文
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
基金 国家863计划 ;  国家自然科学基金
文献收藏号 CSCD:532553

参考文献 共 3 共1页

1.  N P Kobayashi. Appl Phys Lett,1996,68:3299 被引 6    
2.  Hao Lee. Appl Phys Lett,1997,71:2325 被引 1    
3.  Thundat T. Scanning Microscopy,1992,6:903 被引 1    
引证文献 3

1 王杏华 Application of Wet Chemical Etching in Fabrication Process of GaAs/AlGaAs Quantum Dot Arrays 半导体学报,2000,21(1):22
被引 0 次

2 金峰 量子点的原子力显微镜测试结果分析:数学形态学的实现 半导体学报,2005,26(11):2120-2126
被引 0 次

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徐波 0000-0003-4050-0432
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