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Si(100)面上3C-SiC的生长

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来源 半导体学报 ,1999,20(7):630 【核心库】
地址

中科院半导体所, 北京, 100083

语种 中文
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
文献收藏号 CSCD:532547

参考文献 共 0

引证文献 6

1 姜岩峰 用SIPOS-SiO_2复合层对4H-SiCn~+pp~+结构钝化的分析 半导体学报,2000,21(7):686
被引 0 次

2 张玉明 4H-SiC混合 PN/ Schottky二极管的研制(英文) 半导体学报,2001,22(3):265
被引 0 次

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李晋闽 0000-0002-0900-2497
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