文摘
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研究了用金属有机物化学气相外延(MOVPE)在蓝宝石上生长氮化镓(GaN)缓冲层的生长速率随生长温度(500~600℃)的变化关系。用原位激光反射厚度测量方法,发现生长温度、三甲基镓和氨气的摩尔流量、以及源进入双层反应室的模式都对生长速率有影响。提出了生长过程的微观模型,解释了MOVPE生长GaN缓冲层过程中观察到的现象。 |
来源
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半导体学报
,1999,20(7):529 【核心库】
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地址
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1.
中科院半导体所, 中科院半导体材料科学开放实验室, 云南, 100083
2.
中科院半导体所, 中科院半导体材料科学开放实验室, 北京, 100083
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语种
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中文 |
ISSN
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0253-4177 |
学科
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电子技术、通信技术 |
基金
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国家863计划
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文献收藏号
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CSCD:532528
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