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氮化镓缓冲层生长过程分析

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刘祥林 1   汪连山 1   陆大成 1   王晓晖 2   汪度 1   林兰英 1  
文摘 研究了用金属有机物化学气相外延(MOVPE)在蓝宝石上生长氮化镓(GaN)缓冲层的生长速率随生长温度(500~600℃)的变化关系。用原位激光反射厚度测量方法,发现生长温度、三甲基镓和氨气的摩尔流量、以及源进入双层反应室的模式都对生长速率有影响。提出了生长过程的微观模型,解释了MOVPE生长GaN缓冲层过程中观察到的现象。
来源 半导体学报 ,1999,20(7):529 【核心库】
地址

1. 中科院半导体所, 中科院半导体材料科学开放实验室, 云南, 100083  

2. 中科院半导体所, 中科院半导体材料科学开放实验室, 北京, 100083

语种 中文
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
基金 国家863计划
文献收藏号 CSCD:532528

参考文献 共 1 共1页

1.  Chen Q. J Electrochem Soc,1991,138:2821 被引 3    
引证文献 4

1 林秀华 MOCVD生长InGaN/AlGaN双异质结构与GaN过渡层的工艺与特性 发光学报,2000,21(4):324
被引 0 次

2 李述体 掺Si对MOCVD生长的GaN单晶膜的黄带发射及生长速率的影响 功能材料与器件学报,2000,6(4):385
被引 0 次

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