文摘
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利用300keV的P~+离子对InGaAs/InGaAsP应变层多量子阱(MQW)激光器外延结构实施浅注入,经H_2/N_2混合气氛下的快速退火,结构的光致发光(PL)峰值波长蓝移了76nm,所作宽接触激光器的激射波长蓝移了77.9nm。发现具有应变结构的InGaAs/InGaAsP MQW,在较低的诱因素作用下即可产生较大的量子阱混合(intermixing)效应。 |
来源
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半导体学报
,1999,20(6):501 【核心库】
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地址
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1.
中科院半导体所, 北京, 100083
2.
北京师范大学低能核物理所, 北京, 100875
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语种
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中文 |
ISSN
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0253-4177 |
学科
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电子技术、通信技术 |
基金
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国家863计划
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文献收藏号
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CSCD:532522
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