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浅离子注入InGaAs/InGaAsP SL-MQW激光器的混合蓝移效应

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朱洪亮 1   韩德俊 2   胡雄伟 1   汪孝杰 1   王圩 1  
文摘 利用300keV的P~+离子对InGaAs/InGaAsP应变层多量子阱(MQW)激光器外延结构实施浅注入,经H_2/N_2混合气氛下的快速退火,结构的光致发光(PL)峰值波长蓝移了76nm,所作宽接触激光器的激射波长蓝移了77.9nm。发现具有应变结构的InGaAs/InGaAsP MQW,在较低的诱因素作用下即可产生较大的量子阱混合(intermixing)效应。
来源 半导体学报 ,1999,20(6):501 【核心库】
地址

1. 中科院半导体所, 北京, 100083  

2. 北京师范大学低能核物理所, 北京, 100875

语种 中文
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
基金 国家863计划
文献收藏号 CSCD:532522

参考文献 共 5 共1页

1.  Lee J H. Electron Lett,1997,33:1179 被引 6    
2.  Han Dejun. Nucl Instr Meth B,1997,132:599 被引 2    
3.  张燕文. MeV ↑(28)Si↑+注入GaAs的两步快退火行为. 半导体学报,1995,16(1):36 被引 1    
4.  江炳尧. 低能Si↑+离子注入GaAs材料的沟道效应和射程分布. 半导体学报,1993,14(4):217 被引 1    
5.  He J J. Appl Phys Lett,1996,69:562 被引 3    
引证文献 1

1 王永晨 量子阱混合(QWI)及其在光子集成电路(PIC's)中的应用 固体电子学研究与进展,2004,24(4):517-524
被引 1

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