图形衬底上应变SiGe/Si超晶格的结构及光致发光研究

司俊杰 ¹ 杨沁清 ¹ 高俊华 ¹ 滕达 ¹ 王启明 ¹ 郭丽伟 ² 周均铭 ²

文摘	该文研究了在Si的图形衬底上生长应变SiGe/SI超晶格的结构和其光致发光性质。图形衬底由光刻形成的类金字塔结构组成。发现在组成倒金字塔结构的(111)面的交界处有富Ge的SiGe量子线出现。对相同条件下图形衬底和平面衬底上的应变SiGe层的光致发光光谱进行了比较，图形衬底上总的发光强度相对提高了5.2倍。认为这种提高同富Ge的SiGe量子线的产生相关。
来源	半导体学报 ,1999,20(5):353 【核心库】
地址	1. 中科院半导体所, 北京, 100083 2. 中科院物理所, 北京, 100080
语种	中文
ISSN	0253-4177
学科	晶体学
文献收藏号	CSCD:532494

参考文献共 3 共1页

	1. 杨沁清. Si非平面衬底上SiGe/Si量子阱的光致发光特性. 半导体学报,1997,18:10	被引 1 次
	2. Zhang J. J Cryst Growth,1995,150:950	被引 1 次
	3. 郭丽伟. 博,1996	被引 2 次

引证文献 1 篇

1 朱泳 SiGe材料及其在半导体器件中的应用半导体技术,2001,26(8):70
被引 2 次

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