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室温脉冲激射的纵向控制InAs量子点激光器

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文摘 利用一种新近提出的MBE自组织InAs/GaAs量子点生长方式，制成条型激光器，在室温脉冲工作条件下实现了激射。与测得的光致发光(PL)谱对照，发现激射峰位与量子点的PL谱峰位基本吻合。不同激光器结构的样品激射峰有相当大的移动，说明了激射来自量子点。在其它条件完全相同而仅有源区不同的条件下，纵向控制量子点激光器的阈值电流只是垂直耦合量子点激光器的1/3(60mA:200mA)，给出了一个简单的解释，并据此提出了一种实现调节量子点激光器激射能量的方法。
来源 半导体学报 ,1999,20(4):328 【核心库】
地址

中科院半导体所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京, 100083

语种 中文
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
基金 国家攀登计划项目 ;  国家自然科学基金
文献收藏号 CSCD:532488

参考文献 共 5 共1页

1.  Xie Q. IEEE Photon Technol Lett,1996,8:965 被引 3 次    
2.  杨小平. GaAs（100）衬底上自组织生长InAs量子点的研究. 半导体学报,1996,17:869 被引 14 次    
3.  王志明. 自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究. 半导体学报,1997,18:550 被引 7 次    
4.  王志明. 自组织InAs/GaAs量子点垂直排列生长研究. 物理学报,1998,47:89 被引 8 次    
5.  Zhu H J. J Cryst Growth 被引 1 次    
引证文献 4 篇

1 王杏华 Application of Wet Chemical Etching in Fabrication Process of GaAs/AlGaAs Quantum Dot Arrays 半导体学报,2000,21(1):22
被引 0 次

2 汪辉 InAs/GaAs自组织量子点激发态的激射 半导体学报,2001,22(3):295
被引 2 次

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王海龙 0000-0001-9884-4460
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